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          普冉半導體

          資深存儲器設計工程師

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          職位誘惑: 五險一金,福利好,年底雙薪,成長空間大,交通補助,技能培訓

          發布時間: 2021-08-30發布

          職位描述

          崗位要求:

          1. 從事EEPROM/Flash Memory電路設計,包括架構設計、模擬及高壓模塊設計、控制邏輯設計等
          2. 負責EEPROM/Flash Memory測試評價,跟蹤產品的應用及客戶技術服務支持工作
          崗位職責:
          1. 大學本科及以上學歷,電子工程、微電子或相關專業
          2. 具有良好的模擬或數字電路基礎
          3. 熟練使用各種相關EDA工具
          4. 具有獨立分析解決問題的能力
          5. 良好的團隊合作精神
          6. 有EEPROM/Flash Memory相關設計或測試經驗者優先

          職位發布者

          普冉半導體(上海)有限公司

          HR

          7天

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